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產(chǎn)業(yè)研究 | 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)專項(xiàng)研究(上)

作者:本站編輯      2023-01-10 16:57:43     54

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導(dǎo) 言

半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體制造的核心支撐,根據(jù)其在半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過(guò)程中使用環(huán)節(jié)的不同,可分為制造設(shè)備和封測(cè)設(shè)備跃旁,其中制造設(shè)備是核心設(shè)備奈炕,具有高技術(shù)壁壘肌蝶、高附加值特點(diǎn)昨登。

中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起步于1965年蕴掏,發(fā)展較晚蹬挤,因此在產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力均較弱缚窿,尤其是設(shè)備環(huán)節(jié)。同時(shí)受《瓦森納協(xié)定》限制锤塘、美國(guó)制裁升級(jí)妨舟,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行。

中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大伦够,2021年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)銷售額為296億美元邦叶,同比增長(zhǎng)58%,連續(xù)兩年成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)绅厘。同時(shí)2016-2021年中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)30%冕盅,遠(yuǎn)高于產(chǎn)業(yè)鏈其他環(huán)節(jié)增速,增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁是半導(dǎo)體優(yōu)質(zhì)賽道驼凌。

本文研究?jī)?nèi)容重點(diǎn)由行業(yè)認(rèn)知宇颊、行業(yè)發(fā)展背景、行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及重點(diǎn)領(lǐng)域機(jī)會(huì)研判四大板塊展開(kāi)唾姊。通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)特征及產(chǎn)業(yè)鏈分析传悍、行業(yè)發(fā)展背景及趨勢(shì)分析、市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀及國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程等分析驱劳,全方位幻狈、系統(tǒng)化了解當(dāng)前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展情況。同時(shí)驻子,聚焦制造設(shè)備灿意,對(duì)各細(xì)分領(lǐng)域未來(lái)發(fā)展機(jī)會(huì)做出研判。

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半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上游支撐行業(yè)崇呵,助力產(chǎn)品制造流程中制造和封測(cè)環(huán)節(jié)的運(yùn)轉(zhuǎn)缤剧。

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根據(jù)在半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過(guò)程中使用環(huán)節(jié)的不同馅袁,分為制造設(shè)備和封測(cè)設(shè)備。

概念:即在半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過(guò)程中應(yīng)用到的設(shè)備荒辕,一般分為制造設(shè)備和封測(cè)設(shè)備汗销。

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半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)壁壘高,隨著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步抵窒,不斷向先進(jìn)工藝制程迭代弛针。

半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)難度大,涉及多個(gè)學(xué)科領(lǐng)域李皇,由成千上萬(wàn)個(gè)零部件組成削茁,同時(shí)產(chǎn)品驗(yàn)證周期較長(zhǎng)。

  • “制程變小” +“硅片尺寸變大” 驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步掉房,帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備向先進(jìn)工藝制程迭代付材。

  • 方向一:制程越小→晶體管越小→相同面積上的元件數(shù)越多→性能越高→產(chǎn)品越好。

  • 方向二:硅片直徑越大→硅片面積越大→單個(gè)晶圓上芯片數(shù)量越多→效率越高→成本越低鼠废。

資料來(lái)源于《中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)投融資研究》周子學(xué)帜焰,儒余股份整理

根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律“一代設(shè)備,一代工藝络蜘,一代產(chǎn)品”味爷,半導(dǎo)體設(shè)備要超前半導(dǎo)體產(chǎn)品制造開(kāi)發(fā)新一代產(chǎn)品,每更新一代工藝制程与沪,則需更新一代更為先進(jìn)的制程設(shè)備嫩属。

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半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈以設(shè)備零部件為支撐,以半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品為核心陨柴。

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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起源于美國(guó)瞄惑,歷經(jīng)半個(gè)多世紀(jì)的“三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移”,已經(jīng)形成了美-日-韓-中國(guó)穩(wěn)定的價(jià)值鏈制造體系苞番。

  • 第一階段(20世紀(jì)80年代開(kāi)始):技術(shù)漓楣、利潤(rùn)含量較低的封裝測(cè)試環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移。由美國(guó)本土向日本遷移锭化,成就了東芝链患、松下、日立等知名品牌瓶您。

  • 第二階段(20世紀(jì)90年代末期到21世紀(jì)初):制造環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移麻捻。由美國(guó)、日本向韓國(guó)呀袱、中國(guó)臺(tái)灣遷移贸毕,造就了三星、海力士、臺(tái)積電明棍、日月光等大型晶圓代工廠乡革。

  • 第三階段(當(dāng)前):制造環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移。中國(guó)臺(tái)灣向中國(guó)大陸遷移击蹲。

美國(guó):

  • 從實(shí)驗(yàn)室和硅谷風(fēng)險(xiǎn)投資到全球產(chǎn)業(yè)巨頭署拟。

  • 集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)源地婉宰。

  • 設(shè)計(jì)歌豺、制造、設(shè)備心包、軟件具備領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)宁路。

日本:

  • 技術(shù)研發(fā)+市場(chǎng)化實(shí)現(xiàn)迅速崛起,成就了東芝辛辱、松下猩肪、日立等知名品牌。

  • 設(shè)備唱忠、材料領(lǐng)域具備全球競(jìng)爭(zhēng)力旷糟。

韓國(guó):

  • 政府支持+財(cái)團(tuán)逆周期投資。

  • 兩大核心企業(yè)(三星電子临卿、SK海士力)巾鹰,確立存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)霸主。

中國(guó)臺(tái)灣:

  • 開(kāi)辟代工模式楷象,重塑全球產(chǎn)業(yè)鏈條其摘。

  • 臺(tái)積電、日月光等大型晶圓廠烘俱,晶圓代工地位難以撼動(dòng)均天。

中國(guó)大陸:

  • 產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移+客戶集群優(yōu)勢(shì)。

  • 全球最大消費(fèi)電子出口國(guó)绘辈,最具活力的下游產(chǎn)業(yè)集群恢着。

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中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起步晚,在產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力均較弱财破。

中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展起步于1965年然评,中科院上海冶金所成功仿造出國(guó)內(nèi)第一塊集成電路。直到2000年狈究,中芯國(guó)際的成立碗淌,大陸地區(qū)才打開(kāi)了半導(dǎo)體晶圓代工走向世界舞臺(tái)的步伐。

數(shù)據(jù)來(lái)源于IC Insights抖锥,儒余股份整理

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瓦森納協(xié)定亿眠、美國(guó)對(duì)大陸半導(dǎo)體制裁不斷升級(jí),半導(dǎo)體供應(yīng)鏈國(guó)產(chǎn)替代勢(shì)在必行。

《瓦森納協(xié)定》:協(xié)議一直對(duì)中國(guó)禁售最新的幾代設(shè)備纳像。目前階段 EUV 光刻機(jī)等高端設(shè)備因《瓦森納協(xié)定》而對(duì)中國(guó)禁售荆烈。

美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制裁事件梳理

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聚焦設(shè)備領(lǐng)域,美國(guó)最新禁令主要是對(duì)14nm先進(jìn)制程下的晶圓加工設(shè)備進(jìn)行管制竟趾。

美國(guó)本次出口管制新規(guī)憔购,主要是對(duì)14nm制程下先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備進(jìn)行限制,同時(shí)禁令管控范圍進(jìn)一步擴(kuò)大回象。

針對(duì)中國(guó)的先進(jìn)制程設(shè)備主要新增了兩條管制措施:

(1)新增ECCN 3B090編碼罚琅,編碼涵蓋14nm先進(jìn)制程下晶圓拋光、光刻东呻、化學(xué)刻蝕南谈、薄膜沉積等全流程的設(shè)備,其中主要是符合特定技術(shù)指標(biāo)的半導(dǎo)體制造沉積設(shè)備草吠。編碼內(nèi)的設(shè)備出口到中國(guó)需申請(qǐng)?jiān)S可證国谬,許可證實(shí)行推定拒絕。

(2)新增“最終用途和最終用戶規(guī)則”燎隅,禁止了滿足以下條件先進(jìn)制程設(shè)備程堤、零部件、元器件扁奔、軟件技術(shù)的出口:

  • 用于生產(chǎn)16/14nm以下制程的非平面晶體管結(jié)構(gòu)邏輯芯片谍线;

  • 用于生產(chǎn)128層或以上NAND;

  • 用于生產(chǎn)18nm以下制程的DRAM来讯。

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國(guó)家持續(xù)出臺(tái)政策推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展拉氧,對(duì)設(shè)備重點(diǎn)工藝與技術(shù)突破高度重視。

為推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展舶得,增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力掰烟,近年來(lái)我國(guó)推出了一系列針對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的鼓勵(lì)和專項(xiàng)支持政策。

國(guó)家出臺(tái)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)政策梳理

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二十大報(bào)告提出加快實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)沐批,設(shè)備實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破未來(lái)可期纫骑。

加快實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略,加快實(shí)現(xiàn)高水平科技自立自強(qiáng)九孩,以國(guó)家戰(zhàn)略需求為導(dǎo)向先馆,集聚力量進(jìn)行原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān),堅(jiān)決打贏關(guān)鍵核心技術(shù)攻堅(jiān)戰(zhàn)躺彬,加快實(shí)施一批具有戰(zhàn)略性全局性前瞻性的國(guó)家重大科技項(xiàng)目岂昭,增強(qiáng)自主創(chuàng)新能力顺囊。

——摘自二十大報(bào)告

  • 在當(dāng)前美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體制裁升級(jí)背景下,半導(dǎo)體發(fā)展成為了中國(guó)數(shù)字經(jīng)濟(jì)和實(shí)體經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展的掣肘,克服“卡脖子”技術(shù)迫在眉捷也勢(shì)在必行哑回。

  • 因此根據(jù)二十大據(jù)報(bào)告指示,未來(lái)國(guó)家將會(huì)進(jìn)一步加大對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的相關(guān)政策支持力度,而半導(dǎo)體設(shè)備是當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中“卡脖子”技術(shù)的關(guān)鍵環(huán)節(jié),積聚力量實(shí)現(xiàn)設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)突破勢(shì)不可擋葫哗。

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國(guó)家大基金為大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供資本助力,投資領(lǐng)域向設(shè)備方向傾斜卓瞻。

國(guó)家大基金是為促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展設(shè)立的笤吵,其全稱是“國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”,目前已有兩期更扰。

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綜上所述叹倒,當(dāng)前中國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展面臨“挑戰(zhàn)”與“機(jī)遇”并存,設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代將會(huì)迎來(lái)加速發(fā)展期需天。

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作者:李丹

編輯:張雪猩禀、CICI

本文為儒余原創(chuàng),如需轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系我司洒屡。

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